제너다이오드

 

 

 

다이오드는 반도체의 p-n 접합에 바탕을 두고 있다.
p-n 다이오드에서 전류는 p-type (anode) 면에서 n-type (cathode) 면으로만 흐를 수 있다.

보통 다이오드 양단에 전류가 흐르면 전압이 일정하게 낮아진다.

 

 

 

실리콘 다이오드는 0.6-0.7볼트 정도이며, LED의 경우에는 1.4v 정도(종류와 전류의 양에 따라 달라짐)이다.

전류-전압 특성을 살펴보면, 역방향 바이어스 구역에서 다이오드를 통과하는 전류는 매우 적다.

하지만 PIV(역방향 한계 전압, peak-inverse-voltage)를 넘어서는 전압을 공급하면,
다이오드는 reverse breakdown을 일으켜 역방향으로 커다란 전류를 보내 장비가 망가진다.
제너 다이오드 같은 특별한 목적의 다이오드에 대해서는 PIV를 적용하지 않는 경우도 있다.

 

제너 다이오드를 이용한 정전압 회로

 

 

제너다이오드는
순방향의 경우 일반 정류용 다이오드와 같으나 역방향의 특성은 일반 정류용 다이오드와는 달리
역방향의 제너전압(항복전압)이 낮고 제너전압 이상에서도 다이오드가 망가지지 않으며
역방향 제너전압에서는 전류가 급격히 증가한다.

 

브릿지다이오드