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회로도전자부품
2016.01.07 23:44

트랜지스터 and MOSFET 이용한 정전류 드라이버

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mosfet usage and p vs n channel


트랜지스터 and MOSFET 이용한 정전류 드라이버


10W Pulse LED Driver


N 채널 MOSFET 

2N3904

0.75 = 1W (10W LED 용)

100K 및 3.3k 저항 = 1 / 4W



4.png









The PIC output does not like being connected to 12V so the transistor acts as a buffer or level switch. Any output from the PIC greater than 0.6V (ish) will turn the transistor ON.

P CHANNEL MOSFET. (Load connected between Drain and Ground)

When the PIC output is LOW, the transistor is OFF and the gate of the P MOSFET is HIGH (12V). This means the P MOSFET is OFF.

When the output of the PIC is HIGH, the transistor is turned ON and pulls the gate of the MOSFET LOW. This turns the MOSFET ON and current will flow through the load.

N CHANNEL MOSFET.(Load connected between Drain and +12V)

When the PIC output is LOW, the transistor is OFF and the gate of the P MOSFET is HIGH (12V). This means the N MOSFET is ON and current will flow through the load.

When the output of the PIC is HIGH, the transistor is turned ON and pulls the gate of the MOSFET LOW. This turns the MOSFET OFF.

The 'improved' MOSFET circuit.

We could eliminate the transistor by using a digital N MOSFET type - it only needs the 0-5V signal from the PIC output to operate and isolates the PIC output pin from the 12V supply.



Transistor와 모스펫을 이용하여 정전류 드라이버를 구현하는 회로이다.


이 회로는 단지 간단성, 효율성에 초점이 맞춰져 있습니다.



One Transistor 드라이버 작동방식의 경우,


 전원 인가시

  게이트 저항 RG - LED를 켜고 MOSFET을 On,

  MOSFET과 감지 저항 (R)을 통해 실행하는 현재의 수 S.

  전류가 증가함에 따라, R의 전압 강하 S는 물론 증가된다. 


  이 전압 강하 (V 트랜지스터 Base - Emiter 전압에 도달하면 BE = 0.7V), 트랜지스터는 Turn-On된다. 

  이 전원을 끈 땅에 MOSFET의 게이트를 끌어. 따라서, LED를 통한 전류는 저항 R에 의해 정의 된 하나 규제 S . 

  이 회로에 대한 계산은 매우 간단하다. 

  R의 선택하려면 S의 경우에만이 공식 해결해야 할 저항 : R S = 0.7 / 나는 f_LED 이전 식의 전압 부분은 항상 0.7 볼트입니다. 

  이 값은 트랜지스터의 V에서 유래 BE 연락. 


  이전과 같이, MOSFET의 전력 소모가 현재의 승산 소스 드레인 양단의 전압에 의해 계산된다. 

  MOSFET에 걸리는 전압은 다음 공식으로 계산된다 : V의 M이 = V DD가 - V f_LED - V의 RS 센싱 저항에서의 전압 강하는 항상 0.7, V보다 BJT 트랜지스터는 높은가는 전압을 떨어 뜨리지 않기 때문에 BE .

  그러므로 우리는 위의 공식을 단순화 할 수 있습니다 : V M = V의 DD를 - V f_LED - 0.7 MOSFET의 전력 손실은 다음과 같습니다 P T = V의 M의 x는 내가 f_LED 게이트 저항 (R)에 대해 몇 마디 G . MOSFETS는 (현재의 구성 요소 BJT 트랜지스터 달리) 전압 성분이기 때문에,이 저항은 정확한 값이 매우 중요하지 않다. 이 트랜지스터가 손상되지 않도록 충분히 큰 있는지 확인합니다,하지만 너무 큰되지 않습니다. 대략, 저항. 약 0.8 전류 1mA에를 제공하기 위해 계산 될 수있다 예는 간단한 예제를 보자. 우리는 30mA와 LED를 구동한다. 공급 전압은 12 볼트이다. 우리는 감지 저항을 시작한다. 우리는 30mA가 필요하기 때문에, 우리는 단순히 공식에 숫자를 적용 : R S = 0.7 / I f_LEF = 0.7 / 0.03 => R S = 23.3 옴 게이트 저항에 대해서는를, 내가 10K 저항을 사용합니다. 현재는 1만분의 12 = 1.2mA 수 있지만 내가 말했듯이 값은 중요하지 않다. 그냥 저를 유지. 전력 손실을 위해, 우리는 특정 LED 전류의 전압 강하를 알 필요가있다. 내가이 LED 제조업체의 데이터 시트를 가지고 있지 않기 때문에, 난 단지 전압계로 측정 할 수 있습니다. 그것은 3.2 볼트입니다. 그래서 우리는 지금 MOSFET의 전압 계산할 수 V의 M을 = V DD - V f_LED - 0.7 = 12-3.2 - 0.7 => V의 M은 = 8.1 볼트 의 전력 소모는 다음과 같습니다 P T = V의 M의 X는 내가 f_LED = 8.1 X를 0.03 = 243 mW의는 여기에 회로가 테스트를 위해 브레드 보드에 장착 :









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