트랜지스터의 종류와 특정
전류는 +극에서 -극으로 전자는 -극에서 +극으로 이동합니다.
트랜지스터의 동작구조상 차이에 따라 바이폴라(bipolar) 트랜지스터와 유니폴라(unipolar) 트랜지스터로 분류 할 수 있습니다.
트랜지스터 -------- 바이폴라 트랜지스터 --------- NPN Type
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| ---- PNP Type
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--- 유니폴라 트랜지스터 --------- Junction Type(J-FET) => Depletion - mode(N Channel, P Channel)
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|---MOS Type(MOSFET) => Depletion - mode(N Channel, P Channel) / Enhancement - mode(N Channel, P Channel)
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----GaAs Type(FET)
BJT FET
Base = Gate
Collector = Drain
Emitter = Source
바이폴러 트랜지스터
Bi(2개) Polar(극성)의 의미로서 트랜지스터를 구성하는 반도체에 정공(플러스극성)과 전자(마이너스극성)에 의해 전류가 흐르게 되어있는것을 바이폴러 트랜지스터라고 합니다.
일반적인 트랜지스터는 실리콘으로 되어 있는 바이폴러 트랜지스터를 가리킵니다.
NPN 트랜지스터(접합형의 트랜지스터로「전류」를 증폭하는 작용이 있습니다)
접합의 구성에 의한 종류로 플러스 전원으로 동작합니다.
２SC××× ：고주파 용（저주파용에도 사용할 수 있다）
２SD××× ：저주파 용
PNP 트랜지스터(접합의 구성에 의한 종류로 마이너스 전원으로 동작합니다)
접합의 구성에 의한 종류로 마이너스 전원으로 동작합니다．
２SA××× ：고주파 용（저주파용에도 사용할 수 있다）
２SB××× ：저주파 용
FET
Field Effect Transistor의 약어로 전계 효과 트랜지스터라 하며 접합형 FET와 MOS형 FET 및 GaAs형 FET가 있습니다.
접합형 FET는 오디오 기기등 아날로그 회로에 많이 이용되며 MOS형 FET는 주로 마이크로컴퓨터 등의 디지탈 IC에 사용되고 있습니다.
진공관과 비슷한 원리로 입력 전압으로 출력 전류를 제어하는 특성을 갖고 있습니다．
GaAs형FET는 위성방송 수신 등의 마이크로파의 증폭에 사용됩니다.
입력 게이트가 반도체의 접합으로 구성되고 있는 ＦＥＴ 로 트랜지스터와 비교하여 훨씬 적은 입력 전류로 동작합니다．
※MOS
Metal Oxide Semiconductor의 약어로 그 구조가 금속(Metal), 실리콘 산화막(Oxide), 반도체(Semiconductor)의 순으로 되어 있어서 MOS로 불리고 있습니다.
MOS에는 P형과 N형, C형이 있으며 소비 전류를 작게 할 수 있기 때문에 마이크로컴퓨터 등 집적도가 높은 IC에 사용됩니다.
입력 게이트가 산화 실리콘 박막으로 절연되어 있는 ＦＥＴ로 상당히 높은 입력 임피던스전류가 흐르지 않는）를 갖고 있는 것이 특징입니다.
FET / BJT 특징
FET >>>>>>>>>>>
낮은 전압이득
높은 전류이득
아주 높은 입력 임피던스
높은 출력 임피던스
노이즈를 적게 발생
스위칭 속도가 빠름
정전기에 약함
Gate로 0이 들어오면 ON 또는 Off됨
전압에 의해 제어됨
BJT보다 가격이 비싸다
바이어스 설정이 어렵다
BJT >>>>>>>>>>>
높은 전압이득
낮은 전류이득
낮은 입력 임피던스
낮은 출력 임피던스
노이즈를 중간쯤 발생
스위칭 속도가 중간
정전기에 강함
Base로 0이 들어오면 OFF됨
전류에 의해 제어됨
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